TSMC dice que cambiará a transistores de nanoláminas a 2nm

TSMC dice que cambiará a transistores de nanoláminas a 2nm

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Estamos a punto de entrar en una technology única en el mundo de l. a. fabricación de silicio. Los transistores FinFET utilizados actualmente han estado en uso desde 2011, pero a medida que los nodos continúan reduciéndose, deberán ser reemplazados por algo diferente. Ahora nos estamos acercando a ese punto de inflexión, con TSMC actualizando recientemente su hoja de ruta para señalar que pasará a los transistores de nanoláminas una vez que esté listo para l. a. producción de 2 nm. Eso no será hasta dentro de algunos años e Intel y Samsung han anunciado planes similares.

Los angeles noticia de l. a. hoja de ruta actualizada de TSMC viene en un informe de EEveces, que analiza los planes futuros de l. a. empresa. Ya se ha informado ampliamente que TSMC comenzará su producción de 3nm a fines de 2022, pero este nuevo informe confirma sus planes de nanoláminas más allá de eso. Las nanoláminas son un tipo de transistor Gate-All-Round (GAA) que presenta aletas de transistor flotantes con l. a. puerta alrededor de ellas, de ahí el nombre. Intel ha anunciado planes similares con lo que llama cintaFET. Curiosamente, TSMC cube que espera que l. a. producción de nanoláminas de 2 nm comience en 2025, pero l. a. hoja de ruta de Intel tiene a RibbonFET debutando en el tercer trimestre de 2024. Por su parte, Samsung ya se cambió a los nanocables, que utilizan aletas más delgadas que las nanoláminas, para su proceso de 3 nm.

Una cosa a tener en cuenta al comparar TSMC e Intel es que las dos compañías a veces han definido l. a. “producción en volumen” de manera un poco diferente. Históricamente, Intel anunció l. a. producción en volumen relativamente poco tiempo antes de lanzar productos al mercado minorista. Debido a que TSMC vende productos a clientes que luego realizan su propia integración de dispositivos, l. a. empresa puede tardar más en pasar de l. a. producción en volumen a los productos disponibles comercialmente. Es possible que haya algún desfase entre los plazos que las empresas anuncian hoy y lo que realmente envían.

Los angeles empresa recientemente mostró su tecnología 3nm al presidente Biden en Corea del Sur.

Los angeles transición de transistores FinFET a GAA está en el horizonte. (Imagen: Samsung)

Una de las razones por las que TSMC no pasará a 2nm en un futuro cercano es que planea usar 3nm durante bastante tiempo. Kevin Zhang, vicepresidente de desarrollo comercial, dijo que TSMC espera que sea un nodo in style. “Creemos que 3 nm será un nodo largo. Continuaremos viendo una demanda de alto volumen en ese nodo. Pero en términos de transición de 3 nm a 2 nm… nanosheet tiene una ventaja única en términos de mejorar aún más l. a. eficiencia energética y computacional debido a l. a. arquitectura del transistor. Esperaríamos que los clientes con productos que requieren más eficiencia energética en términos de requisitos computacionales, se muevan primero a 2 nm”, dijo. TSMC también espera vender productos de 3nm junto con 2nm.

EETimes señala que Samsung ya está avanzando con sus planes GAA en 3nm, lo que aparentemente le da una ventaja sobre su competencia. Sin embargo, el analista de Bernstein, Mark Li, cree que una salida tan temprana de FinFET podría asustar a clientes como Qualcomm y Nvidia. Cada vez que se produzca un cambio tecnológico huge como este, habrá problemas, especialmente con los rendimientos. Esto podría motivar a las empresas a usar l. a. tecnología “antigua” de 3 nm por más tiempo, o hasta que los diseños de GAA sean más maduros. Zhang cube que debido a esto, venderá tanto 3nm como 2nm uno al lado del otro.

Aún así, el alejamiento de FinFET debería permitir avances significativos en l. a. densidad y eficiencia del transistor. Samsung ha declarado que su diseño de nanocables de 3nm ofrece un aumento del 80 por ciento en l. a. densidad del transistor en comparación con su proceso de 7nm. También permite un aumento del rendimiento del 30 por ciento o una mejora del 50 por ciento en l. a. eficiencia.

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